时间：2025/9/7 18:13:17
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2SK1835是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道MOSFET晶体管，常用于高频开关和功率放大应用。该器件采用TO-220封装，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于各类电子设备中需要高效能和高稳定性的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：150mA
最大漏极-源极电压：30V
最大栅极-源极电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：约10Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
2SK1835具备一系列优异的电气特性，包括低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率；高开关速度使其适用于高频应用，如DC-DC转换器和高频放大器。此外，该器件的封装形式适合通孔安装，具备良好的散热性能，确保在高负载条件下也能稳定工作。
该MOSFET还具有较高的耐用性和可靠性，适用于各种环境条件，包括高温和高湿度环境。由于其设计紧凑，2SK1835在空间受限的应用中也具有良好的适用性。同时，其栅极驱动电压范围较宽，便于与不同的控制电路兼容，例如微控制器和驱动IC。
2SK1835广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备、通信设备以及汽车电子系统中。典型应用包括开关电源、负载开关、信号放大器以及各类低功率高频电路。由于其优异的开关特性和较高的可靠性，它也常用于音频放大器和射频（RF）电路中。
2SK2462, 2SK30ATM, 2SK170BL
