时间：2025/6/21 11:05:47
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RRH040P03TB是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景，具有出色的电流处理能力和良好的热性能。通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：35mΩ（典型值）
栅极电荷：17nC（典型值）
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃至+150℃
RRH040P03TB具有低导通电阻的特点，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
其小型化的TO-263封装使其非常适合空间受限的设计。
此外，该器件的快速开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗。
由于具备较高的雪崩击穿能力，它在异常工作条件下也表现出优异的鲁棒性。
整体而言，这款MOSFET适合要求高可靠性和高效能的应用环境。
该元器件广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流;
2. 电池供电设备中的负载开关;
3. DC-DC转换器中的主开关;
4. 各类电机驱动电路;
5. 过流保护及逆向电池保护电路。
IRFZ44N, FDP159AN, AO3400
