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GA1210A822GBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 20:47:48 查看 阅读:9

GA1210A822GBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率转换的应用场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款芯片的设计使其非常适合在中高电压应用场景中使用,例如工业设备、汽车电子以及消费类电子产品中的电源管理部分。

参数

类型:MOSFET
  >VDS(漏源极电压):650V
  RDS(on)(导通电阻):120mΩ
  ID(漏极电流):16A
  栅极电荷:39nC
  功耗:25W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210A822GBAAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效节能:通过优化的沟道设计,降低了导通电阻,从而减少了功率损耗。
  2. 快速开关:具备较低的栅极电荷,有助于提高开关频率,适合高频应用环境。
  3. 热稳定性强:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的性能表现。
  4. 电气保护功能齐全:内置过温保护及短路保护机制,提升了系统的安全性和可靠性。
  5. 小型化设计:尽管性能强大,但其封装形式紧凑,便于集成到各类电路板上。

应用

该芯片广泛应用于各种领域,主要包括以下几个方面:
  1. 开关电源适配器和充电器
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备中的电源模块
  5. 汽车电子系统,如车载逆变器、LED 驱动等
  6. 家用电器的电源管理单元

替代型号

IRFP460N, STP16NM60, FQA16N65C

GA1210A822GBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-