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HM5118165BTT-8 发布时间 时间:2025/9/6 20:28:26 查看 阅读:31

HM5118165BTT-8 是一款由HITACHI公司设计的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16K x 8位,采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片广泛应用于工业控制设备、通信系统、网络设备以及计算机外围设备等领域。

参数

容量:128Kbit(16K x 8位)
  电源电压:5V
  访问时间:8ns(最大)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:52引脚TSOP
  数据保持电压:3.6V 至 5.5V
  输入/输出逻辑电平:TTL兼容
  读写操作:异步控制
  功耗:典型工作电流约120mA

特性

HM5118165BTT-8 SRAM芯片具有高速存取能力,访问时间仅为8ns,适用于对响应速度要求较高的系统。其采用CMOS工艺制造,能够在保证高速运行的同时保持较低的功耗。此外,该芯片具备宽广的工作温度范围,适应于各种恶劣工业环境。TTL兼容的输入/输出电平使其能够轻松与多种逻辑电路连接,提高了系统的兼容性和灵活性。52引脚TSOP封装结构紧凑,有利于节省PCB布局空间,适合高密度电路设计。芯片支持异步读写操作,无需时钟同步控制,简化了系统设计复杂度。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化控制设备、通信基站、路由器和交换机等网络设备、测试测量仪器、医疗设备、嵌入式系统及计算机外围设备中。由于其高速和低功耗特性,也适用于电池供电设备的数据缓存和实时系统中的临时存储需求。

替代型号

CY62148EVLL-8SNXI, IS62WV5128ALLBLL-8TF1I, A621080S-8TI

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