IRF4232 时间：2025/9/13 7:41:20 阅读：5

IRF4232是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于高电流和高频率的开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：约4.2毫欧（典型值）
　　最大功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

IRF4232具有多项卓越的电气和热特性，使其在高性能电源设计中表现突出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率，同时减少了对散热器的需求，从而降低了系统成本。其次，该器件采用了先进的沟槽技术，使得在高频开关应用中具备良好的动态性能，适用于诸如DC-DC转换器、同步整流器等高频工作场景。此外，IRF4232具有较高的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，适合用于严苛环境下的工业和汽车应用。其封装形式（如PowerPAK SO-8）也优化了散热性能，进一步提升了其在高功率密度应用中的适用性。最后，该MOSFET具备较强的抗冲击能力，能够在短时间内承受较高的电流和电压应力，增强了系统的可靠性和耐用性。