时间：2025/6/6 19:24:40
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CKC18C912JDGAC7210是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性。其封装形式为TO-263，适合在高温环境下工作，广泛应用于电源管理、电机驱动以及工业自动化等领域。
该型号属于沟道型MOSFET，能够提供稳定的性能表现，并且支持较高的电流负载能力，同时具备出色的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：90V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：117W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
CKC18C912JDGAC7210具有以下主要特性：
1. 高效的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 支持高达90V的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高工作频率。
4. 良好的热性能设计，允许更高的功率密度和更长的使用寿命。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料确保可持续性发展需求。
6. 具备优异的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的可靠性。
这些特点使得该MOSFET非常适合用于各种需要高效能和稳定性的电子电路中。
CKC18C912JDGAC7210被广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)，用于电池管理系统或汽车电子设备。
3. 电机驱动控制器，特别适合小型家用电器和工业设备中的电机控制。
4. 照明系统，例如LED驱动器和荧光灯镇流器。
5. 工业自动化设备中的信号处理和功率传输部分。
由于其强大的电气性能和可靠的机械结构，该产品是众多高要求应用的理想选择。
IRFZ44N
STP12NF06
FQP17N06
