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GA1210A681FBCAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 18:02:37 查看 阅读:10

GA1210A681FBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET,采用 N 沫道设计。该器件适用于需要高效功率转换和开关的应用场景,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
  该功率 MOSFET 的封装形式为 D2PAK(TO-263),使其能够处理高电流负载,并具备良好的散热性能。由于其出色的电气特性,这款器件被广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他工业和消费类电子设备中。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:45A
  最大栅极源极电压:±20V
  导通电阻(典型值):1.7mΩ
  总功耗:170W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:D2PAK(TO-263)

特性

GA1210A681FBCAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,能够实现高频操作,从而减小磁性元件的体积和重量。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
  4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代制造工艺。
  这些特点使 GA1210A681FBCAR31G 成为各种高功率应用的理想选择。

应用

这款功率 MOSFET 可应用于多个领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. DC-DC 转换器,用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
  4. 电池管理系统(BMS),提供充放电保护和电流控制功能。
  5. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
  GA1210A681FBCAR31G 凭借其卓越的性能,在以上领域均表现出色。

替代型号

GA12N65SDD,
  IRFZ44N,
  FDP55N50,
  STP55NF06L

GA1210A681FBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-