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GA1210A222JXAAR31G 发布时间 时间:2025/5/28 17:52:27 查看 阅读:9

GA1210A222JXAAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的封装技术和制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适用于工业和消费类电子领域。

参数

型号:GA1210A222JXAAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,@VGS=10V)
  ID(连续漏极电流):120A
  VGS(栅源极电压):±20V
  功耗:140W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1210A222JXAAR31G 具备低导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
  其高耐压能力(60V)确保在严苛条件下稳定运行。
  此外,该器件支持大电流操作(高达120A),并提供快速开关特性以适应高频应用需求。
  卓越的散热设计使其非常适合对温度敏感的应用场景。
  同时,它具有较强的抗静电能力(ESD防护),增强了产品的可靠性与耐用性。

应用

这款 MOSFET 广泛用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制、逆变器以及各类负载开关电路。
  在工业领域,它可以驱动大型电机或作为功率转换的核心元件。
  消费类电子产品中,如笔记本适配器、LED 照明驱动和家用电器控制器中也有广泛应用。
  由于其出色的性能,GA1210A222JXAAR31G 还可以用于新能源汽车中的电池管理系统(BMS)以及充电基础设施相关产品。

替代型号

GA1210A222JXAAR31F
  IRFZ44N
  FDP18N60
  STP120NF60

GA1210A222JXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-