GA1210A222JXAAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的封装技术和制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适用于工业和消费类电子领域。
型号:GA1210A222JXAAR31G
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,@VGS=10V)
ID(连续漏极电流):120A
VGS(栅源极电压):±20V
功耗:140W
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ to +175℃
GA1210A222JXAAR31G 具备低导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
其高耐压能力(60V)确保在严苛条件下稳定运行。
此外,该器件支持大电流操作(高达120A),并提供快速开关特性以适应高频应用需求。
卓越的散热设计使其非常适合对温度敏感的应用场景。
同时,它具有较强的抗静电能力(ESD防护),增强了产品的可靠性与耐用性。
这款 MOSFET 广泛用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制、逆变器以及各类负载开关电路。
在工业领域,它可以驱动大型电机或作为功率转换的核心元件。
消费类电子产品中,如笔记本适配器、LED 照明驱动和家用电器控制器中也有广泛应用。
由于其出色的性能,GA1210A222JXAAR31G 还可以用于新能源汽车中的电池管理系统(BMS)以及充电基础设施相关产品。
GA1210A222JXAAR31F
IRFZ44N
FDP18N60
STP120NF60