时间：2025/6/17 3:07:49
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AZ4A21-01B是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
漏源极击穿电压（BVDSS）：40V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
最大漏极电流（Id）：98A（脉冲）
功耗：65W（最大值）
工作温度范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻降低了传导损耗，提升了整体系统效率。
2. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，适合高频应用。
4. 内置ESD保护功能提高了器件的鲁棒性。
5. 宽泛的工作温度范围使其能够在极端条件下可靠工作。
6. 热性能优异，能够有效降低温升对器件寿命的影响。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统的充放电路径控制。
5. 各类负载开关及保护电路设计。
6. 汽车电子中涉及功率转换与控制的部分。
IRFZ44N
STP90NF06
FDP5500
