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GA1206Y822JBXBT31G 发布时间 时间:2025/5/24 21:49:54 查看 阅读:16

GA1206Y822JBXBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,非常适合在要求苛刻的应用中使用。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,其设计旨在降低功耗并提高系统可靠性。其封装形式为 TO-247,适合表面贴装或通孔安装,便于散热管理。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:0.08Ω
  栅极电荷:55nC
  开关时间:ton=45ns, toff=75ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y822JBXBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,能够支持高频操作,适用于开关电源和逆变器。
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
  5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然保持可靠性能。
  6. 封装设计优化了散热路径,增强了功率处理能力。

应用

该元器件广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 工业电机驱动和伺服控制。
  3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  4. 电动汽车充电设备和车载 DC-DC 转换器。
  5. 各类需要高压、高效功率转换的电路设计。

替代型号

GA1206Y822JAXBT31G, GA1206Y822JBGBT31G

GA1206Y822JBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-