类型：功率MOSFET
　　材料：碳化硅（SiC）
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ
　　栅极电荷（Qg）：90nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　最大功耗：300W

CRE24F4KBBEE具有多项优异的电气和热性能。首先，其采用的碳化硅技术提供了比传统硅基MOSFET更低的开关损耗和导通损耗，从而提高了系统效率并减少了散热需求。其次，该器件的高击穿电压（1200V）使其适用于高电压系统，同时具备更高的安全裕度。此外，其低导通电阻（45mΩ）有助于减少功率损耗，提高整体能效。CRE24F4KBBEE还具有良好的热导率和耐高温能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行，从而提升系统的可靠性和寿命。此外，其高栅极电荷（Qg）值表明其在高频开关应用中具备良好的稳定性，适合用于高频率功率转换器和逆变器设计。
　　该器件的封装设计也经过优化，采用TO-247封装形式，便于与散热器集成并简化系统设计。这种封装方式不仅提供了良好的机械稳定性，还能有效散热，从而在高负载条件下维持较低的工作温度。CRE24F4KBBEE的这些特性使其成为高功率、高效率电力电子系统中理想的功率开关器件。

CRE24F4KBBEE广泛应用于多个高功率和高效率需求的领域。在电动汽车充电系统中，该器件可用于车载充电器和直流快充模块，提供高效能和快速充电能力。在太阳能逆变器中，CRE24F4KBBEE的高开关频率和低损耗特性有助于提高能量转换效率并减少系统尺寸。此外，该器件还可用于工业电机驱动、UPS系统、服务器电源以及高密度电源模块等应用。其高可靠性和热稳定性使其特别适合需要长时间连续运行和高负载条件的工业设备。

CREE/安森美：C3M0065065J, C2M0025120D