16N10 时间：2025/7/22 14:37:43 阅读：11

16N10 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由STMicroelectronics（意法半导体）生产。这款MOSFET适用于各种功率管理应用，例如电源转换、马达控制和负载开关等。其设计能够承受较高的电压和电流，同时具备较低的导通电阻，以减少功率损耗并提高效率。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：16A
　　导通电阻(Rds On)：0.095Ω（最大）
　　功率耗散(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

16N10 MOSFET具备一系列优良的电气和物理特性，使其在功率电子设计中广泛使用。
　　首先，其漏源电压（Vds）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。该器件的连续漏极电流（Id）为16A，确保在大电流条件下依然能够稳定工作。
　　其次，16N10的导通电阻（Rds On）最大为0.095Ω，在导通状态下可显著降低功率损耗，提升系统效率。此外，该MOSFET的栅源电压（Vgs）范围为±20V，提供了较高的驱动灵活性，同时避免了栅极氧化层击穿的风险。
　　该器件的功率耗散（Pd）为60W，表明其具备较强的散热能力，适合高负载应用。工作温度范围从-55°C到+175°C，展现了良好的热稳定性，能够在恶劣环境中可靠运行。
　　最后，16N10通常采用TO-220或D2PAK封装形式，便于在PCB上安装和散热管理。这些特性使得16N10成为电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动和电池管理系统等应用的理想选择。

应用

16N10 MOSFET被广泛应用于多个领域，主要集中在需要高效功率管理的场景。
　　在电源管理系统中，16N10常用于AC-DC和DC-DC转换器中，作为主开关元件，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和高电流能力，它在开关电源（SMPS）中表现优异，减少了能量损耗，提高了整体效率。
　　在电机控制和驱动应用中，16N10用于H桥电路或PWM控制电路中，控制直流电机或步进电机的运行。其高耐压和大电流能力确保电机在各种负载条件下稳定运行。
　　此外，16N10还可用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，确保电池组的安全和高效运行。在太阳能逆变器和电动车控制系统中，也常能看到16N10的身影，用于功率调节和能量传输。
　　工业自动化设备中，16N10用于固态继电器、负载开关和功率放大器等应用，提供可靠和高效的控制方案。