16N10 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由STMicroelectronics(意法半导体)生产。这款MOSFET适用于各种功率管理应用,例如电源转换、马达控制和负载开关等。其设计能够承受较高的电压和电流,同时具备较低的导通电阻,以减少功率损耗并提高效率。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds On):0.095Ω(最大)
功率耗散(Pd):60W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220、D2PAK
16N10 MOSFET具备一系列优良的电气和物理特性,使其在功率电子设计中广泛使用。
首先,其漏源电压(Vds)为100V,能够承受较高的电压应力,适用于中高功率应用。该器件的连续漏极电流(Id)为16A,确保在大电流条件下依然能够稳定工作。
其次,16N10的导通电阻(Rds On)最大为0.095Ω,在导通状态下可显著降低功率损耗,提升系统效率。此外,该MOSFET的栅源电压(Vgs)范围为±20V,提供了较高的驱动灵活性,同时避免了栅极氧化层击穿的风险。
该器件的功率耗散(Pd)为60W,表明其具备较强的散热能力,适合高负载应用。工作温度范围从-55°C到+175°C,展现了良好的热稳定性,能够在恶劣环境中可靠运行。
最后,16N10通常采用TO-220或D2PAK封装形式,便于在PCB上安装和散热管理。这些特性使得16N10成为电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动和电池管理系统等应用的理想选择。
16N10 MOSFET被广泛应用于多个领域,主要集中在需要高效功率管理的场景。
在电源管理系统中,16N10常用于AC-DC和DC-DC转换器中,作为主开关元件,实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和高电流能力,它在开关电源(SMPS)中表现优异,减少了能量损耗,提高了整体效率。
在电机控制和驱动应用中,16N10用于H桥电路或PWM控制电路中,控制直流电机或步进电机的运行。其高耐压和大电流能力确保电机在各种负载条件下稳定运行。
此外,16N10还可用于电池管理系统(BMS),作为充放电控制开关,确保电池组的安全和高效运行。在太阳能逆变器和电动车控制系统中,也常能看到16N10的身影,用于功率调节和能量传输。
工业自动化设备中,16N10用于固态继电器、负载开关和功率放大器等应用,提供可靠和高效的控制方案。
IRFZ44N, FDPF16N10, STP16NF10