时间：2025/8/12 17:59:44
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IS61QDB41M36A-250M3L 是由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高性能异步SRAM系列，容量为1M x 36位，总容量为4Mbit，适用于需要高速数据访问和低延迟的嵌入式系统和通信设备。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适合高密度PCB布局。该型号的工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），确保在严苛环境下稳定运行。
容量：4Mbit
组织结构：1M x 36位
访问时间：250ps
电源电压：3.3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：100
接口类型：并行异步接口
IS61QDB41M36A-250M3L 具备高速访问能力，访问时间低至250ps，使其适用于对性能要求较高的系统，如网络设备、工业控制器和图像处理系统。
该SRAM芯片采用低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时有效降低功耗，提高系统能效。
其异步接口设计无需时钟同步控制，简化了系统设计并提高了灵活性。
此外，该器件具备宽温工作范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣工业环境下的稳定性与可靠性。
封装采用TSOP 100引脚形式，适合高密度PCB布局，并提供良好的散热性能。
该芯片还具备数据保持功能，在待机模式下可维持数据完整性，适用于需要低功耗待机的应用场景。
IS61QDB41M36A-250M3L 主要应用于需要高速数据缓存和低延迟访问的工业控制系统、通信基础设施（如路由器、交换机）、图像处理设备、测试仪器以及嵌入式计算平台。
由于其高带宽和低功耗特性，该SRAM芯片也适用于实时数据缓冲、高速缓存存储以及需要频繁数据更新的场景。
此外，该芯片还广泛用于航空航天、自动化设备和智能交通系统等对可靠性要求极高的领域。
IS61QDB41M36A-250M3L可替代型号包括：CY62148EAVTA1-250SXI、IDT71V416SA166BQGI和AS7C34098A-250BIN-S。
