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GA1206Y682KBABR31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:28:31 查看 阅读:4

GA1206Y682KBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业自动化领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低功耗。
  此型号为增强型N沟道MOSFET,其设计适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  持续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:55nC
  输入电容:2500pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y682KBABR31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,可支持高频应用,从而减小外部元件尺寸。
  3. 强大的雪崩能力和鲁棒性,适合恶劣的工作环境。
  4. 热稳定性出色,能够在宽温度范围内保持一致的性能。
  5. 小型化封装设计,便于布局和散热管理。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统,如电池管理系统(BMS)和LED驱动。
  4. 通信设备中的负载切换和保护电路。
  5. 各种便携式设备的高效电源管理解决方案。

替代型号

IRF7728, FDP5500, AO4402

GA1206Y682KBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-