时间：2025/7/23 13:25:01
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E-L6258EXTR是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的功率转换应用而设计。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种电源管理设备，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。E-L6258EXTR采用紧凑的表面贴装封装，便于在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值）
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
E-L6258EXTR的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。在高电流条件下，该特性尤为关键，因为它可以降低发热并提高系统的可靠性。
此外，该MOSFET具有良好的热性能，其封装设计能够有效地将热量从芯片传导到PCB，从而确保在高负载条件下的稳定运行。
E-L6258EXTR的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的逻辑电平控制，使其能够与多种控制器或驱动器兼容。
该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定，从而增强系统的鲁棒性。
由于其表面贴装封装，E-L6258EXTR非常适合自动化生产流程，并且有助于实现高密度的电路设计。
E-L6258EXTR广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，该MOSFET可用于高效能的电池管理系统。
此外，该器件也常用于电机控制和驱动电路，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合，如无人机、机器人和电动工具等。
在汽车电子领域，E-L6258EXTR可用于车载充电器、LED照明驱动器和车身控制模块等应用，满足汽车环境中对可靠性和耐久性的高要求。
SiSS848NT-T1-GE3, Infineon BSC080N03LS G
