晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：20A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100V
　　最大功耗（Ptot）：200W
　　过渡频率（fT）：30MHz
　　电流增益（hFE）：5000-15000（在Ic=2A, Vce=5V时）
　　封装类型：TO-247

PQ20RX21具有优异的射频性能，能够在高频条件下保持稳定的放大特性，适用于射频功率放大电路。该晶体管的最大集电极电流为20A，具有较高的电流承载能力，适合高功率应用场景。其集电极-发射极电压为80V，集电极-基极电压为100V，能够在较高的电压条件下稳定工作，提高了器件的适用范围。
　　该晶体管的过渡频率（fT）高达30MHz，能够在较高频率下保持良好的增益特性，适合用于高频开关和放大电路。其电流增益（hFE）范围为5000至15000，在Ic=2A和Vce=5V的测试条件下表现优异，能够提供较高的放大倍数，提升电路的信号处理能力。
　　PQ20RX21采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，能够有效降低工作时的温度，提高器件的稳定性和寿命。该封装形式也便于安装和散热片的连接，适用于高功率密度的电路设计。此外，该晶体管具备较高的可靠性，能够在恶劣的环境条件下保持稳定运行，适合工业级和通信级应用。

PQ20RX21广泛应用于射频功率放大器、高频开关电路、工业自动化控制系统以及通信设备中。该晶体管可用于构建高频放大电路，提供高效的信号放大能力，适合用于无线通信、广播设备以及测试仪器等应用场景。此外，其高电流和高功率特性使其在电源管理和电机驱动等应用中也具有广泛的使用价值。

PQ20RX21H, 2N6292, MJ15024