您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y222JXBBT31G

GA1206Y222JXBBT31G 发布时间 时间:2025/6/9 13:02:42 查看 阅读:19

GA1206Y222JXBBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和稳定性。
  这款功率MOSFET适用于要求高效能、低损耗的应用场景,其封装形式紧凑,适合空间受限的设计需求。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:120V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大连续漏极电流Id:65A
  导通电阻Rds(on):2.2mΩ
  总功耗Ptot:270W
  工作温度范围:-55°C to 175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206Y222JXBBT31G 具有非常低的导通电阻,仅为2.2毫欧姆,这使其在大电流应用中表现出色。同时,它还具备快速开关能力,降低了开关损耗。
  器件内部集成了多种保护功能,例如过温保护和过流保护,增强了其在恶劣环境下的可靠性。
  此外,该功率MOSFET支持宽范围的工作温度,从-55°C到175°C,非常适合工业和汽车级应用。
  它的封装形式为TO-247-3,这种封装具有良好的散热性能,并且易于安装和维护。

应用

该功率MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、直流电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车的电控单元等领域。
  由于其出色的电气特性和热管理能力,它也常被用于需要高效功率转换和高可靠性的工业设备中。
  在消费电子市场,此型号也可用于笔记本适配器、游戏机电源以及其他高功率密度的电子设备中。

替代型号

GA1206Y222JXBBT32G
  IRFP260N
  FDP18N12
  STP100N12F5

GA1206Y222JXBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-