时间：2025/6/17 0:43:30
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CL31F226ZPHNNNE 是一款基于 Infineon（英飞凌）CoolMOS? 技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的封装技术，能够在高频开关应用中提供高效率和低损耗。其出色的 RDS(on) 特性和低栅极电荷使得 CL31F226ZPHNNNE 成为硬开关和软开关应用的理想选择。
该功率 MOSFET 非常适合用于需要高性能、高可靠性的工业和消费类电子产品，例如电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动器以及 LED 照明系统等。
型号：CL31F226ZPHNNNE
类型：N沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：220mΩ（典型值，@ VGS=10V）
IDS（连续漏极电流）：4.9A
PD（总功耗）：75W
VGS（栅源电压）：±20V
Qg（栅极电荷）：18nC
f（工作频率范围）：最高支持数百kHz
封装形式：TO-Leadless（表面贴装型）
CL31F226ZPHNNNE 的主要特性包括：
1. 凉爽的 CoolMOS? 技术实现了较低的 RDS(on)，从而降低了导通损耗。
2. 具备高耐压能力 (650V)，适用于广泛的高压应用环境。
3. 优化的 Qg 和 Eoss 参数设计，确保了高效的开关性能。
4. TO-Leadless 封装具有良好的热性能和电气性能，并且符合 RoHS 标准。
5. 在高温环境下仍能保持稳定运行，结温范围可高达 +175°C。
6. 内置反向二极管功能，进一步增强了系统的可靠性。
7. 支持宽泛的工作频率，适用于高频转换器设计。
这些特点使 CL31F226ZPHNNNE 成为许多高性能电力电子设备中的关键组件。
CL31F226ZPHNNNE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。
2. 工业控制：如电机驱动和变频器。
3. 消费类电子：如笔记本电脑适配器、LED 驱动器。
4. 可再生能源系统：如太阳能微逆变器。
5. 充电器和电池管理系统。
由于其高效能和高可靠性，该器件在这些应用中表现出色，能够有效降低能源损耗并提高整体效率。
CL31F226ZPHNNND, CL31F226ZPHNNNF
