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GA1206Y184MBABR31G 发布时间 时间:2025/5/28 17:46:54 查看 阅读:13

GA1206Y184MBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持高效率和稳定性。
  该芯片通常用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及负载切换等领域,其出色的性能参数使其成为许多高要求应用的理想选择。

参数

型号:GA1206Y184MBABR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  总功耗(Ptot):250W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y184MBABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,适用于现代高效电源设计。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性和可靠性。
  4. 优化的热性能,有助于改善散热效果,确保长时间稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合广泛工业应用。
  6. 具有较高的漏源电压耐受能力,适用于多种高压场景。

应用

GA1206Y184MBABR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于工业控制和家用电器。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 各种负载切换和保护电路,如过流保护和短路保护。
  6. 高效照明系统,例如 LED 驱动电源。

替代型号

GA1206Y184MBABR31H, IRFZ44N, FDP5500

GA1206Y184MBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-