时间：2025/6/11 13:19:11
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AIES12U02AG1 是一款高性能、低损耗的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片，专为高功率密度和高频应用设计。该器件采用先进的碳化硅技术制造，具有卓越的开关性能和导通特性。其额定电压为 1200V，适用于各种工业、汽车及可再生能源领域中的高效功率转换系统。
这款芯片通过优化栅极驱动设计，能够显著降低开关损耗，并具备出色的热稳定性和可靠性。此外，AIES12U02AG1 还支持快速开关频率，有助于缩小无源元件尺寸并提高整体系统的效率。
额定电压：1200V
额定电流：2A
Rds(on)（最大值）：80mΩ
栅极电荷（Qg）：40nC
输入电容（Ciss）：1350pF
输出电容（Coss）：120pF
反向恢复时间（trr）：60ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 基于碳化硅材料，具备高耐压能力和低导通电阻。
2. 支持高频操作，减少磁性元件体积，提升功率密度。
3. 快速开关速度，显著降低开关损耗。
4. 极低的反向恢复电荷，适合硬开关和软开关拓扑。
5. 宽温度范围内的优异性能和可靠性，适用于严苛环境。
6. 小型化封装，便于集成到紧凑型设计中。
1. 太阳能逆变器中的 DC/DC 和 DC/AC 转换模块。
2. 电动汽车 (EV) 充电桩及车载充电机。
3. 工业电机驱动和变频器控制。
4. 高频 DC/DC 转换器和功率因数校正 (PFC) 电路。
5. 不间断电源 (UPS) 和储能系统。
6. 高效电源适配器和其他消费类电子设备的电源管理部分。
AIES12U02BG1
AIES12U04AG1
