容量：2GB
　　内存类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　工作电压：1.2V
　　数据速率：256GB/s
　　总线宽度：1024位
　　TSV技术：支持
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：约7.5mm x 7.5mm
　　

H5TC2G63FFR-PBC的主要特性之一是其高带宽能力。通过TSV技术和多层堆叠结构，该芯片能够提供高达256GB/s的带宽，远超传统GDDR或DDR内存解决方案，这使其非常适合用于需要大量数据并行处理的应用场景。此外，该芯片的紧凑封装设计使其在有限的PCB空间中提供了更高的存储密度。
　　另一个关键特性是其低功耗设计。由于采用1.2V的低电压供电，H5TC2G63FFR-PBC在保持高性能的同时有效降低了功耗，适用于对能效要求较高的高性能计算和图形处理系统。此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在各种严苛环境下的稳定运行。
　　在可靠性方面，H5TC2G63FFR-PBC采用先进的制造工艺和封装技术，确保了数据传输的稳定性和长期工作的可靠性，适用于数据中心、AI加速器等关键任务应用。此外，其与标准HBM接口兼容，便于系统集成和升级，减少了设计复杂性和开发周期。

H5TC2G63FFR-PBC广泛应用于需要高带宽、低延迟存储的高性能计算系统中，如AI加速器、图形处理单元（GPU）、高端FPGA、网络交换设备以及超级计算机等。在AI训练和推理过程中，该芯片能够提供快速的数据访问能力，显著提升计算效率。在图形处理领域，它可以支持高分辨率、高帧率的复杂渲染任务。此外，该芯片也适用于需要大内存带宽的5G通信基础设施和数据中心加速器等场景。

H5TC2G63FFR-PBC的替代型号包括H5TC4G63AMR-PBD（容量更大、带宽更高）和H5TC2G63AFR-PBC（封装或性能略有不同）。其他替代方案还包括美光（Micron）和三星（Samsung）的HBM系列芯片，如Micron的HBM2E或Samsung的HBM2产品。