类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大连续漏极电流(ID)：15A（在Tc=25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：最大60mΩ（在VGS=10V）
　　栅极电荷(Qg)：典型值22nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：DFN5x6或类似高功率散热封装

AL15SEB060N具有多项关键性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低传导损耗，提高系统效率，特别适用于高电流应用。其次，该MOSFET采用了屏蔽栅技术，有效减少了米勒电容（Crss），从而降低开关损耗，使器件在高频操作下保持高效能。此外，AL15SEB060N的栅极电荷（Qg）较低，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，进一步提高了动态性能。
　　该器件的热性能优越，采用高散热效率的封装设计，有助于快速将热量从芯片传导出去，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种严苛环境，包括高温工业环境和低温启动条件。此外，AL15SEB060N具备较高的短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性和可靠性。
　　在封装方面，DFN5x6等封装形式不仅提供了良好的热管理，还具有较小的PCB占位面积，非常适合高密度电源设计。该MOSFET的封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。综上所述，AL15SEB060N是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种高效率电源转换应用。

AL15SEB060N广泛应用于各类高效率电源管理系统中，例如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和优异的热性能使其特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

SiHG15N60E、FDMS86180、IPB065N15N3、FDMS86101S