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IS46DR16320D-3DBLA1 发布时间 时间:2025/9/1 11:26:37 查看 阅读:8

IS46DR16320D-3DBLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速、低功耗、高可靠性的CMOS SRAM系列,适用于需要高速数据访问和低功耗运行的应用场景。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有出色的抗干扰能力和稳定性。其存储容量为16Mbit(1M x 16),支持异步操作,适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。

参数

容量:16 Mbit
  组织结构:1M x 16
  电压供应:3.3V
  访问时间:10 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-TSOP
  引脚数:54
  接口类型:异步
  读取电流:最大 180 mA
  待机电流:最大 10 mA

特性

IS46DR16320D-3DBLA1 具备多项显著特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,该芯片采用了高性能的CMOS技术,使其能够在低电压(3.3V)条件下稳定运行,同时保持较低的功耗水平。其次,该SRAM的访问时间仅为10ns,确保了高速数据读写能力,适用于对响应速度有严格要求的应用。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的温度适应能力,适合在工业级环境中使用。
  该芯片的封装形式为54-TSOP,具有较小的封装体积,便于在空间受限的电路板上布局。同时,其异步接口设计简化了与主控系统的连接,降低了系统设计的复杂度。IS46DR16320D-3DBLA1还具备出色的抗干扰能力和数据保持稳定性,即使在恶劣电磁环境下也能确保数据的完整性。

应用

IS46DR16320D-3DBLA1 广泛应用于对高速数据存取和高可靠性的需求较高的领域。其主要应用场景包括工业控制设备,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业计算机,这些设备需要快速响应和持续稳定运行。此外,该芯片也适用于通信设备,如路由器、交换机和无线基站,用于缓存和临时数据存储,以提高系统整体性能。
  在网络设备中,该SRAM可作为高速缓存,提升数据处理效率,减少延迟。在嵌入式系统中,例如智能仪表、医疗设备和自动化测试设备,IS46DR16320D-3DBLA1 提供了可靠的存储支持,确保关键数据的快速访问和稳定性。由于其宽温度范围和高抗干扰能力,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载通信模块和驾驶辅助系统中的数据缓冲存储单元。

替代型号

IS46DR16320B-3BLA1, IS46DR16320C-3BLA1, CY62167EV30LL-45BNC, IDT71V1216SA8BCE3B

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IS46DR16320D-3DBLA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格209 : ¥51.12967托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间450 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)