类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：47A
　　最大漏源电压：25V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.0165Ω
　　封装类型：TO-252
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷：120nC
　　最大功耗：100W

UDK2547EBT的主要特性包括低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，确保了优异的导通和开关性能。此外，UDK2547EBT的TO-252封装形式提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。
　　该器件的高耐压能力和大电流容量使其在电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用中表现出色。其低栅极电荷特性也意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了整体系统的能效。
　　UDK2547EBT的可靠性和耐用性也得到了广泛认可，能够在苛刻的工作环境中保持稳定性能。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温条件下正常工作，适用于工业级和汽车级应用。

UDK2547EBT广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、逆变器以及工业自动化设备。其优异的导通性能和高电流能力使其成为高效电源转换和电机控制的理想选择。
　　在汽车电子领域，UDK2547EBT可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用。在工业设备中，该MOSFET可用于伺服电机控制、UPS（不间断电源）系统以及高频电源转换器。此外，它还可用于消费类电子产品中的高效率电源模块，如笔记本电脑电源适配器和LED照明驱动电路。

TK8A50D, IRF3205, Si4410DY