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TMK325B7226KM-TR 发布时间 时间:2025/6/4 18:20:46 查看 阅读:4

TMK325B7226KM-TR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换应用中。其封装形式为TO-263,能够提供卓越的散热性能和电气特性。

参数

型号:TMK325B7226KM-TR
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  最大漏极电流Id:16A(脉冲)
  导通电阻Rds(on):4.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:90W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-263

特性

TMK325B7226KM-TR的主要特点是低导通电阻和高效率。它的导通电阻仅为4.8mΩ,可以显著降低传导损耗,从而提高整体系统效率。
  此外,该MOSFET具有快速开关能力,有助于减少开关损耗,并支持高频操作。其坚固的设计使其能够在极端温度条件下可靠运行,适用于工业、汽车以及消费类电子设备中的多种场景。
  在热管理方面,TO-263封装具备出色的散热性能,可有效将热量散发到外部环境,确保器件长时间稳定工作。

应用

这款MOSFET广泛应用于直流电机驱动、开关电源、逆变器、不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)以及其他需要高效功率控制的场合。由于其优异的电气特性和可靠性,它非常适合用于对性能要求较高的应用领域。
  在电动汽车领域,TMK325B7226KM-TR可用于牵引逆变器和DC/DC转换器;而在工业自动化中,它可以作为固态继电器或功率开关使用。

替代型号

IRF3710,
  STP16NM60,
  FDP17N60,
  IXFN16N60T2

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TMK325B7226KM-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容22 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.106"(2.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-