时间：2025/6/4 18:20:46
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TMK325B7226KM-TR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种功率转换应用中。其封装形式为TO-263，能够提供卓越的散热性能和电气特性。
型号：TMK325B7226KM-TR
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：16A（脉冲）
导通电阻Rds(on)：4.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：90W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263
TMK325B7226KM-TR的主要特点是低导通电阻和高效率。它的导通电阻仅为4.8mΩ，可以显著降低传导损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该MOSFET具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，并支持高频操作。其坚固的设计使其能够在极端温度条件下可靠运行，适用于工业、汽车以及消费类电子设备中的多种场景。
在热管理方面，TO-263封装具备出色的散热性能，可有效将热量散发到外部环境，确保器件长时间稳定工作。
这款MOSFET广泛应用于直流电机驱动、开关电源、逆变器、不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)以及其他需要高效功率控制的场合。由于其优异的电气特性和可靠性，它非常适合用于对性能要求较高的应用领域。
在电动汽车领域，TMK325B7226KM-TR可用于牵引逆变器和DC/DC转换器；而在工业自动化中，它可以作为固态继电器或功率开关使用。
IRF3710,
STP16NM60,
FDP17N60,
IXFN16N60T2
