时间：2025/5/20 15:21:44
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SI7852DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。它具有出色的热性能和电气性能，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：2250pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI7852DP-T1-GE3 使用了先进的 TrenchFET 工艺，大幅降低了导通电阻和栅极电荷，从而提高了整体的功率效率和系统性能。
该器件具备快速开关能力，适合高频应用环境，并且其封装设计优化了散热路径，确保在高电流条件下稳定运行。
此外，它的低反向恢复电荷特性也使其成为硬开关应用的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点调节器、同步整流电路以及电池供电设备中。
它还常用于电信和网络设备中的电源管理模块，以及消费类电子产品中的电机驱动和照明控制等场景。
SI7862DP-T1-E3, IRF7852PbF
