2N722是一款经典的N沟道结型场效应晶体管(JFET),广泛用于低噪声前置放大器、模拟开关和音频信号处理等电路中。该器件具有良好的线性度和低噪声系数,适用于要求高稳定性和高保真度的模拟电路设计。2N722采用TO-72金属封装,是一种早期的分立式JFET器件,因其稳定性和可靠性而受到工程师的青睐。
类型:N沟道JFET
封装形式:TO-72(金属罐)
漏极-源极电压(Vds):25V
栅极-源极电压(Vgs):-25V
最大漏极电流(Idss):10mA(典型值)
跨导(Gm):2000 μS(典型值)
输入阻抗:10^12 Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
2N722的核心特性在于其低噪声和高输入阻抗,这使其成为音频前置放大器和传感器接口电路的理想选择。由于其高输入阻抗,该器件几乎不会对前级电路造成负载效应,从而保持了信号的完整性。此外,2N722具有良好的温度稳定性,能够在宽温度范围内保持稳定的性能。其线性度较高,适用于需要精确模拟信号处理的应用。JFET结构使其在无外部偏置电路的情况下也能正常工作,简化了电路设计。2N722的金属封装有助于提高热稳定性和机械强度,适合工业和高可靠性应用。
2N722常用于音频放大器中的前置放大级,以提供低噪声和高保真的信号放大。它也适用于传感器信号调理电路,例如麦克风前置放大器、光电探测器信号放大器等。此外,该器件也可用于模拟开关、电压控制电阻和低频振荡器等电路。由于其良好的线性度和低失真特性,2N722在模拟电路设计中被广泛使用,尤其是在需要高输入阻抗和低噪声的应用场景。
2N5457, J201, BF245C