2N722 时间：2025/9/3 2:14:11 阅读：18

2N722是一款经典的N沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛用于低噪声前置放大器、模拟开关和音频信号处理等电路中。该器件具有良好的线性度和低噪声系数，适用于要求高稳定性和高保真度的模拟电路设计。2N722采用TO-72金属封装，是一种早期的分立式JFET器件，因其稳定性和可靠性而受到工程师的青睐。

参数

类型：N沟道JFET
　　封装形式：TO-72（金属罐）
　　漏极-源极电压（Vds）：25V
　　栅极-源极电压（Vgs）：-25V
　　最大漏极电流（Idss）：10mA（典型值）
　　跨导（Gm）：2000 μS（典型值）
　　输入阻抗：10^12 Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

2N722的核心特性在于其低噪声和高输入阻抗，这使其成为音频前置放大器和传感器接口电路的理想选择。由于其高输入阻抗，该器件几乎不会对前级电路造成负载效应，从而保持了信号的完整性。此外，2N722具有良好的温度稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的性能。其线性度较高，适用于需要精确模拟信号处理的应用。JFET结构使其在无外部偏置电路的情况下也能正常工作，简化了电路设计。2N722的金属封装有助于提高热稳定性和机械强度，适合工业和高可靠性应用。

应用

2N722常用于音频放大器中的前置放大级，以提供低噪声和高保真的信号放大。它也适用于传感器信号调理电路，例如麦克风前置放大器、光电探测器信号放大器等。此外，该器件也可用于模拟开关、电压控制电阻和低频振荡器等电路。由于其良好的线性度和低失真特性，2N722在模拟电路设计中被广泛使用，尤其是在需要高输入阻抗和低噪声的应用场景。