时间：2025/6/25 11:09:35
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CRJF850N65GC 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装。这款芯片具有高电压和大电流的特性，适合在开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用中使用。
该器件采用了先进的半导体制造工艺，以提供较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的开关性能，从而提高了效率并减少了功率损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：85A
导通电阻：1.9mΩ（典型值，@ Vgs=15V）
栅极电荷：190nC（典型值）
输入电容：3000pF（典型值）
总功耗：340W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
CRJF850N65GC 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力（650V），能够承受瞬态高压环境。
2. 低导通电阻（1.9mΩ），有助于降低传导损耗。
3. 快速开关速度，可实现高频应用。
4. 较高的漏极电流容量（85A），适用于大功率场景。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 支持宽温度范围，适应各种恶劣的工作条件。
CRJF850N65GC 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 中的功率开关。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机控制器。
3. 工业逆变器和变频器。
4. 太阳能逆变器中的功率管理。
5. 各种需要高效功率转换和控制的工业设备。
CRJF850N65GCS, CRJF850N65GD
