时间：2025/8/4 18:37:17
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ELW120T 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优秀的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、同步整流器等应用。ELW120T 通常采用表面贴装封装形式（如SOP或DFN封装），适用于自动化贴片工艺，适合用于现代电子设备中对空间和能效要求较高的场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：120V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：52mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8 或 DFN3x3
功率耗散（Pd）：2.5W
ELW120T 具备多项优异的电气特性和物理特性，适合高频开关应用环境。其导通电阻低至52mΩ，在10V栅极驱动电压下可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提升开关速度。此外，ELW120T 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适合用于紧凑型电源设计中。其封装形式具有良好的散热性能，同时支持自动贴片工艺，便于批量生产。ELW120T 还具备较强的抗静电能力，符合工业级可靠性标准，适合用于工业控制、通信电源、电池管理系统等领域。
ELW120T 主要应用于电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、同步整流器、马达驱动电路以及各类便携式电子产品中的功率开关部分。由于其具备高效率、低导通电阻和良好的热管理能力，该器件特别适用于对能效和空间利用率要求较高的嵌入式系统、智能硬件、工业自动化设备以及通信基础设施设备中的电源管理模块。
Si2302DS, AO4406A, FDS6680, IRF7413
