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GA1206Y153MBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 20:36:47 查看 阅读:7

GA1206Y153MBBBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
  该型号属于沟道MOSFET系列,其设计旨在满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。通过优化的结构设计,它在高频应用中表现出色,并能有效降低系统的能耗。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):150V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):250W
  工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206Y153MBBBT31G 的关键特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
  2. 高击穿电压确保了器件在高压环境下的稳定性与可靠性。
  3. 快速开关能力,适合高频应用场合,如开关电源和DC-DC转换器。
  4. 具备出色的热稳定性和耐热冲击能力,可适应恶劣的工作条件。
  5. 内置反向恢复二极管,简化电路设计并增强性能。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。

应用

该芯片广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动器中的逆变器和斩波器。
  3. DC-DC转换器的核心元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  5. 各类工业自动化设备的功率控制部分。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
  由于其高效率和可靠性,这款MOSFET特别适用于需要高效能量转换和精确控制的应用场景。

替代型号

IRFP260N, STP30NF15W, FDP18N15

GA1206Y153MBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-