时间：2025/5/28 20:46:11
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UPA2721AGR是一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件专为需要高效率和低导通电阻的应用设计，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。UPA2721AGR具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频工作条件下保持高效性能，并且具备良好的热稳定性和可靠性。
UPA2721AGR通过优化的制造工艺，确保其在高电流负载下仍能保持较低的功耗，同时提供出色的耐用性与抗干扰能力。此外，该器件符合RoHS标准，适合环保要求严格的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极阈值电压：2.1V
总功耗：140W
结温范围：-55℃至175℃
UPA2721AGR的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ典型值），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力（38A连续漏极电流），满足大功率应用场景需求。
3. 快速开关速度，能够支持高频开关应用，从而减小外部元件尺寸并优化设计成本。
4. 强大的热性能表现，使器件能够在恶劣环境中长期稳定运行。
5. 符合RoHS标准，无铅封装，适合绿色能源相关产品开发。
6. 支持多种保护功能的集成，例如过流保护和短路保护，增强系统的安全性。
UPA2721AGR广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. 电机驱动控制，特别是大电流直流电机或步进电机驱动。
3. DC-DC转换器中的同步整流电路。
4. 电池管理系统（BMS），用于充放电路径管理。
5. 工业自动化设备中的功率切换模块。
6. 汽车电子中的负载切换和逆变器电路。
7. 其他任何需要高性能功率开关的场合。
IRFZ44N, FDP5560, STP36NF06
