您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A562KBABT31G

GA1206A562KBABT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:57:20 查看 阅读:12

GA1206A562KBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能。
  通过优化设计,这款芯片能够在高频工作条件下保持高效的能源转换,并具备出色的热稳定性和可靠性,适合在工业和消费类电子应用中使用。

参数

型号:GA1206A562KBABT31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装形式:TO-247
  VDS(漏源极电压):650V
  RDS(on)(导通电阻):0.09Ω
  IDS(连续漏极电流):56A
  功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A562KBABT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻RDS(on),能够有效降低传导损耗并提高效率。
  2. 高击穿电压(650V),确保了器件在高电压环境下的安全运行。
  3. 快速开关速度和低栅极电荷,使器件适用于高频开关应用。
  4. 良好的热性能,有助于散热管理。
  5. 高电流处理能力,支持大功率负载需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  此外,其坚固的设计使其能够在恶劣的工作环境下保持稳定性,同时具备抗电磁干扰的能力。

应用

该功率MOSFET芯片的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 工业电机控制与驱动系统中的逆变器电路。
  3. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理。
  4. 电动车和混合动力汽车的动力系统组件。
  5. 高压负载切换和保护电路。
  由于其卓越的电气特性和耐用性,它在需要高效能源转换和高温稳定性的场景下表现尤为突出。

替代型号

GA1206A562KBAT, IRFP460, STP55NF06L

GA1206A562KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-