时间：2025/10/8 0:09:54
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UPS2G100MHD是一款由United Siliconix（或授权制造商）生产的高性能双N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该器件封装于高性能的DFN2x2封装中，具有极低的热阻和优异的散热性能，适用于空间受限但对功率密度要求较高的应用场景。其主要目标市场包括便携式电子设备、同步降压转换器、DC-DC变换器、负载开关以及电池管理系统等。由于其优化的栅极电荷和导通电阻特性，UPS2G100MHD能够在高频开关条件下实现较低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，适合在严苛的工作环境中长期稳定运行。器件的引脚布局经过优化，有助于减少寄生电感，提高开关瞬态响应能力，并降低电磁干扰（EMI）。
在实际应用中，UPS2G100MHD常用于替代传统SO-8封装的MOSFET，在保持相同甚至更优电气性能的同时，显著减小PCB占用面积，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。其内部结构采用多次光刻与蚀刻工艺，确保了均匀的电流分布和稳定的阈值电压特性，提升了器件的一致性和良率。同时，该器件支持1.8V逻辑电平驱动，兼容大多数现代控制器的输出信号，增强了系统的集成度和设计灵活性。
型号：UPS2G100MHD
通道类型：双N沟道
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：10A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：36A
导通电阻(Rds(on))：最大9.8mΩ @ VGS=4.5V；最大7.0mΩ @ VGS=10V
栅极电荷(Qg)：典型值 8nC @ VDS=10V, ID=5A
输入电容(Ciss)：典型值 480pF @ VDS=10V
反向恢复时间(Trr)：典型值 12ns
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN2x2
UPS2G100MHD采用了先进的沟槽型场效应晶体管（Trench MOSFET）技术，这种结构通过在硅片表面构建垂直沟道来显著提升单位面积下的载流子迁移效率，从而实现极低的导通电阻Rds(on)，有效降低功率损耗并提高系统效率。器件的双N沟道设计允许其在半桥或同步整流拓扑中作为上下管使用，尤其适用于大电流、低电压输出的同步降压转换器。其Rds(on)在VGS=4.5V时仅为9.8mΩ，在更高栅压下可进一步降至7.0mΩ，这使得即使在低输入电压条件下也能维持高效的能量传输。此外，该器件具有非常低的栅极电荷Qg（典型值8nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动功率更少，减少了控制器的负担，并降低了动态损耗。
另一个关键特性是其优异的热性能。DFN2x2封装底部集成了大面积裸露焊盘，能够通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，实现高效散热。该封装的热阻θJA通常低于50°C/W，远优于传统SOT-23或SOT-323封装器件，从而保证了长时间高负载运行下的稳定性与可靠性。同时，由于没有引线框架，DFN封装还减少了寄生电感，提升了开关速度和抗噪声能力。
器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计，能够承受一定程度的电压过冲和瞬态应力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其1.8V逻辑电平兼容能力使其可以直接由低压控制IC驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。此外，内部体二极管具有较快的反向恢复时间（Trr约12ns），有助于减少反向恢复电荷带来的损耗，特别适合用于需要快速续流的应用场景。总体而言，这些特性使UPS2G100MHD成为高性能、高集成度电源管理系统的理想选择。
UPS2G100MHD广泛应用于各类需要高效率、小尺寸和高电流密度的电源系统中。典型应用之一是便携式消费类电子产品中的同步降压转换器，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的主电源模块。在这些设备中，电池电压通常为3.7V至4.2V，而核心处理器、内存和其他功能模块需要稳定的1.8V或更低电压供电，因此要求MOSFET具备低导通电阻和快速开关能力以最小化功耗。UPS2G100MHD凭借其低Rds(on)和小封装体积，完美契合这类应用需求。
此外，该器件也常用于DC-DC多相变换器的下管或上管配置中，特别是在笔记本电脑主板或嵌入式计算平台的VRM（电压调节模块）设计中。其双通道结构可以集成在一个封装内，减少布局复杂度并提高功率密度。在电池管理系统（BMS）中，它可用作充放电开关或负载隔离开关，利用其低导通压降减少发热，延长电池续航时间。
其他应用场景还包括LED背光驱动电路、热插拔控制器、电机驱动中的H桥低端开关以及各种负载开关模块。在这些场合中，器件的快速开启/关断能力、低静态功耗和良好的热稳定性都至关重要。由于其符合工业级温度范围要求，UPS2G100MHD也可用于工业自动化、通信设备和汽车电子中的辅助电源系统，展现出广泛的适应性和可靠性。
SI2302DDS-T1-E3
AP2302GN\-E3
DMG2302U\-7
FDMC86260
