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GA1206A561KBCBR31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:32:10 查看 阅读:9

GA1206A561KBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  此型号属于沟道增强型器件,支持高频开关应用,并且其封装设计优化了散热特性,非常适合对功率密度要求较高的场合。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:56A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):85nC
  连续漏极电流:56A
  最大功耗:174W
  结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206A561KBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 出色的热稳定性,确保在极端温度条件下仍能保持良好的性能。
  4. 具备强大的过流保护和短路耐受能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 封装设计紧凑且易于安装,同时提供高效的散热路径。
  这些特点使得该器件成为现代电力电子设备中的理想选择。

应用

这款功率MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化系统中的负载切换控制。
  4. 新能源技术领域,如太阳能逆变器和电动车牵引逆变器。
  5. 各种需要高效功率传输与控制的应用场景。

替代型号

GA1206A561KBCBR29G, IRF540N, FDP5600

GA1206A561KBCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-