时间：2025/6/11 18:58:21
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FHW1210IF100JST 是一款表面贴装技术 (SMT) 的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型 MOSFET 系列。它采用了先进的制造工艺和封装技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。这种芯片广泛应用于各种需要高效能功率转换的场景中，如开关电源、电机驱动器、负载开关以及 DC-DC 转换器等。
该器件使用 DFN8 封装形式，能够有效减少寄生电感并提高散热性能。其额定电压为 100V，适合中低压应用环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：40nC
输入电容：1790pF
总功耗：3.2W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FHW1210IF100JST 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用中的高效运行，从而降低了功耗和发热。
2. 高速开关能力使得该器件能够在高频工作条件下保持优异的效率。
3. 强大的雪崩耐量能力增强了器件的鲁棒性，使其能够承受瞬态过压情况。
4. 小型化的 DFN8 封装不仅节省了 PCB 空间，还提供了卓越的热传导性能。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
这款功率 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各种类型的电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 负载开关和保护电路，在电池供电设备中起到关键作用。
4. 电信基础设施中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的功率控制部分。
FHW1210IF100GST, FDP5800, IRF7846
