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GA1206A3R3BBLBT31G 发布时间 时间:2025/6/30 19:47:42 查看 阅读:7

GA1206A3R3BBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  该芯片专为大电流应用设计,其封装形式紧凑且具备良好的散热性能,非常适合对空间和热管理有严格要求的应用环境。

参数

型号:GA1206A3R3BBLBT31G
  类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ (典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):180W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-264-3

特性

GA1206A3R3BBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 提供优异的热性能,确保长时间稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 电池管理系统(BMS) 中的负载切换和保护。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统中的大电流开关应用,例如电动座椅、雨刷电机等。
  6. 各类消费类电子产品中的高效功率转换方案。

替代型号

GA1206A3R3BBLBT21G
  IRF3205
  FDP55N06L

GA1206A3R3BBLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容3.3 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-