GA1206A3R3BBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
该芯片专为大电流应用设计,其封装形式紧凑且具备良好的散热性能,非常适合对空间和热管理有严格要求的应用环境。
型号:GA1206A3R3BBLBT31G
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ (典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):180W
结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-264-3
GA1206A3R3BBLBT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
5. 提供优异的热性能,确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 电池管理系统(BMS) 中的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的大电流开关应用,例如电动座椅、雨刷电机等。
6. 各类消费类电子产品中的高效功率转换方案。
GA1206A3R3BBLBT21G
IRF3205
FDP55N06L