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SRM560VF_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 20:55:25 查看 阅读:9

SRM560VF_R1_00001 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,主要用于高功率、高频的电力电子应用。该器件设计用于高效能的功率转换系统,如电源、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等。SRM560VF_R1_00001 具有低导通电阻(Rds(on))和优化的封装设计,以提高热性能和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET模块
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为3.2mΩ
  封装类型:双面散热封装
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电荷(Qg):典型值为140nC
  短路耐受能力:有
  热阻(Rth):典型值为0.25°C/W
  安装方式:表面贴装
  系列:SRM系列

特性

SRM560VF_R1_00001 MOSFET模块采用了先进的沟槽栅极技术和硅基工艺,使其在高频开关应用中表现出色。该模块的低导通电阻(Rds(on))可以显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,其双面散热封装设计有助于提高热传导效率,使得器件在高负载条件下也能保持良好的散热性能。
  该器件还具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流而不损坏,从而提高了系统的可靠性和安全性。其高电流承载能力使其适用于高功率密度的应用,如工业电机驱动和电动汽车的电源系统。
  SRM560VF_R1_00001 的栅极电荷(Qg)较低,使得开关损耗减少,适用于高频开关应用。模块的封装设计也符合行业标准,便于在PCB上安装和集成。

应用

SRM560VF_R1_00001 主要用于需要高功率和高效率的电力电子系统。例如,它适用于工业级的电源供应器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车充电器以及电机驱动器等。由于其双面散热设计,该模块也适用于空间受限但需要高效散热的应用场景。
  此外,该MOSFET模块还可用于各种类型的DC-DC转换器,如Boost和Buck转换器,以实现高效的能量转换。在电动车领域,它可用于车载充电系统和电机控制系统,以提供可靠的功率输出和高效的能量管理。

替代型号

SiC MOSFET模块(如Cree/Wolfspeed的C3M0060065J)、Infineon的IPW60R004C7AGATMA1、STMicroelectronics的STF150N6F7DM2

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SRM560VF_R1_00001参数

  • 现有数量5,168现货
  • 价格1 : ¥3.97000剪切带(CT)1,500 : ¥1.55352卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)520 mV @ 5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏220 μA @ 60 V
  • 不同?Vr、F 时电容300pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-221AA,SMB(直引线)
  • 供应商器件封装SMBF
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C