供电电压：2.5V至5.5V
　　输出驱动电流：最大1.5A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　传播延迟时间：典型值为90ns
　　上升/下降时间：典型值为15ns
　　隔离电压：2500VRMS（符合UL认证）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：大于50kV/μs
　　输入逻辑类型：兼容3.3V和5V TTL/CMOS信号
　　封装类型：16-QSOP

SID1181KQ-TL 具备多种先进特性，确保其在复杂电磁环境下的稳定运行。
　　首先，其集成的电气隔离技术基于Silicon Labs独有的数字隔离器技术，能够提供高达2500VRMS的增强型隔离等级，有效保护主控系统免受高压电路的影响，提高系统安全性。
　　其次，芯片内置的高边和低边驱动器可独立控制，支持高达1.5A的峰值输出电流，满足高功率开关器件的驱动需求，适用于各种半桥或全桥拓扑结构。
　　该芯片具有极低的传播延迟（典型值90ns）和快速的上升/下降时间（15ns），有助于提高开关频率和系统响应速度，减少开关损耗。
　　此外，SID1181KQ-TL 具备较强的抗干扰能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）大于50kV/μs，能够在高dv/dt环境中稳定工作，避免因电磁干扰引起的误触发。
　　最后，该芯片还具备欠压锁定保护（UVLO）功能，当供电电压低于设定阈值时，驱动输出将被自动禁用，防止功率器件在非理想条件下工作，提升系统的可靠性。

SID1181KQ-TL 广泛应用于需要高隔离性能和高效驱动能力的功率电子系统中。
　　在工业自动化和电机控制领域，该芯片可用于驱动IGBT或MOSFET模块，构建高性能的变频器和伺服驱动器。
　　在新能源领域，SID1181KQ-TL 常用于光伏逆变器、储能系统和电动汽车充电模块中，作为关键的栅极驱动元件，确保系统在高电压和大电流条件下的稳定运行。
　　此外，该芯片也适用于电源管理系统、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）以及家用电器中的功率控制模块。

Si8235BD-C-IS1, ADuM4135BRIZ-RL7, UCC21520DWQ