STP25NM60ND 时间：2025/7/23 16:50:20 阅读：8

STP25NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有较高的电流和电压耐受能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化等场合。STP25NM60ND采用了先进的技术，以确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定的工作性能。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：25A
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W

特性

STP25NM60ND具备一系列优良的电气和热性能特性。其高电压耐受能力（600V）使其适用于高压功率转换系统。该MOSFET的导通电阻较低，在VGS为10V时仅为0.22Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件采用了高可靠性的封装技术，TO-220封装具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至外部散热器，确保器件在高负载条件下的稳定性。其最大漏极电流为25A，能够在较高电流环境下稳定运行。
　　STP25NM60ND还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在瞬态过载或短路情况下维持器件的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，便于与各种驱动电路匹配使用。
　　该MOSFET的开关速度较快，适合用于高频开关应用，从而减少开关损耗，提高系统响应速度。同时，其内部寄生二极管具有一定的反向恢复能力，可有效降低反向恢复损耗，适用于桥式电路等需要续流的应用场景。

应用

STP25NM60ND广泛应用于多种电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明系统以及工业自动化控制设备。
　　在开关电源中，STP25NM60ND作为主开关元件，用于实现高效的能量转换，其低导通电阻和高开关速度有助于提升电源的整体效率。
　　在电机驱动应用中，该MOSFET可用于构建H桥电路，实现电机的正反转控制，并提供高效的功率输出。
　　此外，该器件也可用于电池管理系统、光伏逆变器以及电动汽车充电模块等新兴领域，满足对高可靠性和高效率的严格要求。