时间：2025/6/26 21:16:04
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GMC04CG750K25NT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该型号属于沟道增强型MOSFET，适用于中高压应用场景。其设计旨在满足高能效要求，并支持高频率操作。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：25A
导通电阻：0.018Ω
栅极电荷：150nC
开关速度：高速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
GMC04CG750K25NT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流条件下可显著减少功率损耗。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并在高频应用中表现优异。
3. 高耐压值（750V），使其能够在高压环境中稳定运行。
4. 高温适应性，可在极端温度范围内可靠工作，适合工业和汽车级应用。
5. 具备良好的热性能，有助于散热管理，从而提高整体系统可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
这款MOSFET芯片适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子中的负载切换和DC-DC转换器。
6. 任何需要高效功率处理和快速响应的应用场景。
GMC04CG750K25N,
IRFP460,
FDP18N75,
STP16NE75K,
IXYS7N75T2
