时间：2025/8/24 12:54:47
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FQD45N06是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高密度的电源应用，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电系统以及各种开关电源设备。FQD45N06采用先进的平面沟槽栅极技术，确保了优异的开关性能和导通损耗。其封装形式为DPAK（TO-252），适合表面贴装，便于散热和自动化生产。
类型：N沟道
最大漏极电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：45A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.018Ω（在Vgs=10V时）
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：DPAK（TO-252）
FQD45N06具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该MOSFET的高电流能力使其能够处理较大的负载，适用于高功率密度设计。其快速开关特性降低了开关损耗，提高了整体性能。此外，FQD45N06的封装设计具备良好的热性能，有助于散热，从而延长器件寿命并提升可靠性。该器件还具备抗雪崩能力，能够承受瞬态过压和过流条件，增强系统稳定性。其栅极驱动要求较低，兼容标准逻辑电平驱动器，简化了驱动电路设计。FQD45N06还具备高dv/dt能力和低寄生电容，进一步优化了高频应用中的表现。
FQD45N06广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源模块、电动工具、电动车控制系统、工业电源、太阳能逆变器以及高电流便携式电子产品。由于其高可靠性和优异的电气性能，它也适用于需要高效能和紧凑设计的汽车电子系统。
FDP45N06, FDS45N06, IRFZ44N, STP45N06, Si4410DY
