FQD45N06是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高密度的电源应用,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于DC-DC转换器、电源管理、电池充电系统以及各种开关电源设备。FQD45N06采用先进的平面沟槽栅极技术,确保了优异的开关性能和导通损耗。其封装形式为DPAK(TO-252),适合表面贴装,便于散热和自动化生产。
类型:N沟道
最大漏极电压(Vds):60V
最大漏极电流(Id):45A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):最大0.018Ω(在Vgs=10V时)
栅极电压(Vgs):±20V
功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:DPAK(TO-252)
FQD45N06具有低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该MOSFET的高电流能力使其能够处理较大的负载,适用于高功率密度设计。其快速开关特性降低了开关损耗,提高了整体性能。此外,FQD45N06的封装设计具备良好的热性能,有助于散热,从而延长器件寿命并提升可靠性。该器件还具备抗雪崩能力,能够承受瞬态过压和过流条件,增强系统稳定性。其栅极驱动要求较低,兼容标准逻辑电平驱动器,简化了驱动电路设计。FQD45N06还具备高dv/dt能力和低寄生电容,进一步优化了高频应用中的表现。
FQD45N06广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源模块、电动工具、电动车控制系统、工业电源、太阳能逆变器以及高电流便携式电子产品。由于其高可靠性和优异的电气性能,它也适用于需要高效能和紧凑设计的汽车电子系统。
FDP45N06, FDS45N06, IRFZ44N, STP45N06, Si4410DY