GA1206A330KBCBT31G是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该电容器具有低ESR(等效串联电阻)、高Q值(品质因数)以及出色的频率稳定性,适用于高频电路和射频应用。它通常用于滤波、耦合、去耦以及信号调节等领域。
该型号属于X7R介质类型的多层陶瓷电容器(MLCC),具有稳定的电气特性和温度特性,能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。
容量:33pF
额定电压:50V
公差:±5%
直流偏压特性:低
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:0402英寸
介质材料:X7R
尺寸:1.0mm x 0.5mm
GA1206A330KBCBT31G采用了先进的多层陶瓷技术,确保了其在高频条件下的稳定表现。X7R介质赋予了该电容器优良的温度稳定性,在-55℃到+125℃范围内,其容量变化不超过±15%。
此外,这款电容器还具有较低的ESR和ESL(等效串联电感),这使得它特别适合于高频滤波和射频电路中的去耦功能。它的小型化设计(0402封装)也使其能够轻松集成到紧凑型电路板中。
由于其高Q值和低损耗角正切(tanδ),该电容器非常适合对噪声敏感的应用场景,例如通信设备、医疗电子和工业控制等领域。
GA1206A330KBCBT31G广泛应用于需要高频性能和小尺寸的场合。其典型应用包括:
1. 射频滤波器和匹配网络
2. 高速数字电路中的电源去耦
3. 振荡器和时钟电路中的负载电容
4. 无线通信模块中的信号调节
5. 医疗成像设备和工业自动化系统中的高频电路
6. 集成电路输入输出端口的滤波与隔离
由于其高可靠性和小型化特点,该电容器是现代电子产品设计的理想选择。
GA1206A331KBCBT31G
GRM152B31C330KA01D
C0402C330J5GACTU