时间：2025/5/9 17:35:45
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K4B1G1646I-BYMA 是一款由三星（Samsung）制造的 DDR3L SDRAM 内存芯片，广泛应用于计算机、服务器和其他需要高性能内存的设备中。该芯片采用 78球 FBGA 封装形式，具有低功耗和高稳定性的特点，适合对能效要求较高的应用场景。
类型：DDR3L SDRAM
容量：1Gb (128Mb x 8)
电压：1.35V
速度：1600Mbps
封装：FBGA 78-ball
工作温度：-40°C 至 +85°C
引脚间距：1.0mm
数据宽度：8位
组织结构：128M x 8
刷新周期：tREFI = 7.8us
CAS延迟：CL=11
K4B1G1646I-BYMA 具有以下主要特性：
1. 支持 DDR3L 标准，能够以更低的功耗运行在 1.35V 电压下。
2. 提供高达 1600Mbps 的数据传输速率，确保高效的内存访问性能。
3. 使用 FBGA 78 球封装，具备优良的散热性能和可靠性。
4. 支持标准 JEDEC 协议，便于与其他硬件兼容。
5. 在工业温度范围内 (-40°C 至 +85°C) 工作，适用于各种环境条件下的应用。
6. 具备自动刷新和省电模式功能，进一步优化了功耗表现。
K4B1G1646I-BYMA 芯片被广泛应用于以下领域：
1. 笔记本电脑和超极本等移动计算设备。
2. 数据中心服务器和存储系统。
3. 嵌入式系统和工业控制设备。
4. 游戏机和其他消费类电子产品。
5. 高性能计算（HPC）平台。
6. 网络通信设备，如路由器和交换机。
K4B1G1646D-BYMA, K4B1G1646Q-BYMA
