LDTB123EWT1G 时间：2025/8/13 5:08:45 阅读：26

LDTB123EWT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于高频率和低噪声应用，适用于射频（RF）放大、混频器、振荡器以及其他高频电路。LDTB123EWT1G 采用了先进的制造工艺，具有优良的高频性能和稳定性，广泛应用于通信设备、无线基础设施、消费电子和工业控制系统中。该晶体管采用 SOT-323 封装，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和小型化设计。

参数

晶体类型：NPN 型 BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　最大工作频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：在 2 mA 时为 110 至 800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-323
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LDTB123EWT1G 是一款专为高频应用设计的晶体管，具备优异的低噪声性能和高增益特性。其最大工作频率达到 250 MHz，适用于射频和中频放大器电路。该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级划分，可以在 110 到 800 之间变化，满足不同设计需求。此外，LDTB123EWT1G 的 SOT-323 小型封装使其非常适合用于高密度 PCB 设计，支持表面贴装技术，降低了制造成本并提高了生产效率。
　　该晶体管的工作电压范围较宽，最大集电极-发射极电压为 30 V，能够在较高的电压环境下稳定工作。最大集电极电流为 100 mA，适合中低功率放大应用。LDTB123EWT1G 的最大功耗为 200 mW，能够在有限的散热条件下保持良好性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境下的可靠性。此外，该晶体管的低噪声系数使其在射频接收器和前置放大器中表现出色。

应用

LDTB123EWT1G 广泛应用于高频电子电路中，特别是在射频（RF）和中频（IF）放大器设计中表现优异。该晶体管常用于无线通信设备中的信号放大、混频器和振荡器电路。在消费电子产品中，LDTB123EWT1G 可用于 FM 收音机、无线遥控器和蓝牙模块等射频前端电路。在工业控制系统中，它适用于传感器信号放大和数据采集电路。此外，该晶体管也常用于测试测量仪器、音频放大器前端电路以及各种需要低噪声和高增益的模拟电路设计。