LDTB123EWT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于高频率和低噪声应用,适用于射频(RF)放大、混频器、振荡器以及其他高频电路。LDTB123EWT1G 采用了先进的制造工艺,具有优良的高频性能和稳定性,广泛应用于通信设备、无线基础设施、消费电子和工业控制系统中。该晶体管采用 SOT-323 封装,适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和小型化设计。
晶体类型:NPN 型 BJT
最大集电极-发射极电压(VCEO):30 V
最大集电极电流(IC):100 mA
最大功耗(PD):200 mW
最大工作频率(fT):250 MHz
电流增益(hFE):在 2 mA 时为 110 至 800(根据等级不同)
封装类型:SOT-323
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LDTB123EWT1G 是一款专为高频应用设计的晶体管,具备优异的低噪声性能和高增益特性。其最大工作频率达到 250 MHz,适用于射频和中频放大器电路。该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,根据不同的等级划分,可以在 110 到 800 之间变化,满足不同设计需求。此外,LDTB123EWT1G 的 SOT-323 小型封装使其非常适合用于高密度 PCB 设计,支持表面贴装技术,降低了制造成本并提高了生产效率。
该晶体管的工作电压范围较宽,最大集电极-发射极电压为 30 V,能够在较高的电压环境下稳定工作。最大集电极电流为 100 mA,适合中低功率放大应用。LDTB123EWT1G 的最大功耗为 200 mW,能够在有限的散热条件下保持良好性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保在极端环境下的可靠性。此外,该晶体管的低噪声系数使其在射频接收器和前置放大器中表现出色。
LDTB123EWT1G 广泛应用于高频电子电路中,特别是在射频(RF)和中频(IF)放大器设计中表现优异。该晶体管常用于无线通信设备中的信号放大、混频器和振荡器电路。在消费电子产品中,LDTB123EWT1G 可用于 FM 收音机、无线遥控器和蓝牙模块等射频前端电路。在工业控制系统中,它适用于传感器信号放大和数据采集电路。此外,该晶体管也常用于测试测量仪器、音频放大器前端电路以及各种需要低噪声和高增益的模拟电路设计。
BC847 NPN, 2N3904, BFQ54, BFQ56