JSM30N06C 是一款 N 沗道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用 TO-220 封装,具备出色的电气特性和可靠性。
该型号属于中低压 MOSFET 系列,设计用于在高频开关条件下提供高效的功率转换。其 60V 的最大漏源电压使其适用于多种工业和消费电子应用。
最大漏源电压:60V
持续漏极电流:30A
栅极阈值电压:2V~4V
导通电阻(典型值):15mΩ
总功耗:125W
工作结温范围:-55℃~+150℃
JSM30N06C 具有较低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中表现出色,并且能够减少传导损耗。此外,该器件具有较快的开关速度,可有效降低开关损耗。
由于采用了先进的制造工艺,JSM30N06C 在热性能和电气稳定性方面表现出色,适合长时间连续运行的环境。
另外,其栅极电荷较小,有助于提高系统的整体效率,并简化驱动电路的设计。
该器件还具备优异的雪崩能力和抗 ESD 性能,增强了其在恶劣环境下的可靠性。
JSM30N06C 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化设备
6. 太阳能逆变器
7. 消费类电子产品中的负载开关
这款 MOSFET 凭借其高效率和可靠性,成为许多高性能功率转换系统中的关键元件。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP18N06L