4400P0VB0E 时间：2025/12/26 16:53:30 阅读：14

4400P0VB0E是一款由Vishay Siliconix生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS阵列），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有极低的电容、快速响应时间和高可靠性，适用于高速数据线路和精密模拟信号路径的保护。4400P0VB0E属于Uni/O双向TVS二极管系列，能够在不影响信号完整性的情况下提供有效的过压保护，广泛应用于通信接口、消费类电子产品和工业控制系统中。
　　该器件封装在小型化的SMC（DO-214AB）封装内，便于在空间受限的PCB布局中使用。其结构包含多个集成的TVS二极管单元，能够同时保护多条信号线或电源线路。由于其出色的箝位性能和低漏电流特性，4400P0VB0E非常适合用于对电磁兼容性（EMC）要求较高的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和长期工作耐久性，能够在严苛的工作环境中保持稳定的保护性能。

参数

类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　极性：双向
　　工作电压：4.0 V
　　击穿电压：5.85 V
　　最大钳位电压：13.2 V @ Ipp = 1 A
　　峰值脉冲功率：400 W
　　响应时间：< 1 ps
　　电容典型值：100 pF @ 0 V, 1 MHz
　　漏电流：最大 1 μA @ 4 V
　　引脚数：2
　　封装形式：SMC (DO-214AB)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

4400P0VB0E的核心特性之一是其双向击穿能力，使其能够有效应对正负方向的瞬态电压冲击，特别适合用于交流信号线路或无法确定极性的应用场合。这种双向特性基于内部对称的PN结结构设计，在受到ESD或浪涌电压时可迅速导通并将能量泄放到地，从而将线路电压限制在安全范围内，防止后级电路受损。该器件的击穿电压为5.85V，确保在正常工作电压4V下不会误触发，同时又能在过压发生时及时响应。
　　另一个关键特性是其低动态电阻和快速响应时间。4400P0VB0E的响应时间小于1皮秒，几乎可以瞬时响应ESD事件（如IEC 61000-4-2规定的±8kV接触放电），显著优于传统的压敏电阻或气体放电管。这使得它在高频信号保护中表现出色，不会引入明显的信号延迟或失真。结合其13.2V的最大钳位电压（在1A峰值脉冲电流下），可在极端条件下仍将被保护线路维持在安全水平。
　　该TVS阵列还具备优异的电容特性，典型电容值仅为100pF，适用于中等频率信号线路的保护，例如USB、RS-232、音频接口等。虽然相较于超低电容TVS（如1pF级别）略高，但在成本与性能之间实现了良好平衡。此外，其漏电流极低（最大1μA @ 4V），不会对前端放大器或ADC输入造成负载影响，保证了模拟信号链的精度。
　　从可靠性角度看，4400P0VB0E通过了AEC-Q101汽车级认证，具备出色的抗热冲击和机械稳定性。其400W的峰值脉冲功率处理能力满足IEC 61000-4-5雷击浪涌测试要求，支持多次重复浪涌事件而不退化。SMC封装具有较强的散热能力和焊接可靠性，适合自动化贴片生产。总体而言，该器件在保护性能、尺寸、成本和可靠性方面达到了高度优化，是中低端高速线路保护的理想选择之一。

应用

4400P0VB0E常用于各类需要防止静电和瞬态干扰的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的接口保护，例如智能手机、平板电脑和平板显示器上的耳机插孔、麦克风输入、按键开关等易受人体ESD影响的节点。这些位置通常暴露在外，用户频繁接触，极易积累静电荷并引发瞬间高压放电，导致IC损坏。使用4400P0VB0E可以在不增加额外复杂电路的前提下实现可靠防护。
　　在通信领域，该器件可用于保护RS-232、RS-485、CAN总线等工业通信接口，抵御来自长距离布线引入的感应雷击或电源耦合干扰。其双向特性特别适用于差分信号线或可能存在反向电压波动的场景。此外，在电源管理模块中，也可用于低压直流电源轨（如5V、3.3V）的次级侧保护，防止因插拔热插拔或电源异常引起的电压尖峰。
　　在汽车电子系统中，尽管有更高规格的TVS器件可用，但4400P0VB0E仍可作为辅助保护元件用于非关键控制单元，如车载信息娱乐系统的音频输入端口或传感器信号调理电路。其AEC-Q101认证增强了在车载环境下的可信度。此外，医疗设备、测试仪器和智能家居控制器中也常见此类TVS的应用，以提升整体系统的EMC抗扰度等级，满足国际安全标准要求。