TLN105A 时间：2025/8/20 18:03:47 阅读：10

TLN105A是一款低噪声、高线性度的砷化镓场效应晶体管（GaAs FET），广泛用于射频和微波放大器应用。这款晶体管以其优异的噪声性能和高增益特性在通信系统中具有重要地位。TLN105A适用于低噪声前置放大器、射频接收器和测试仪器等场景。

参数

类型：砷化镓场效应晶体管（GaAs FET）
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率范围：直流至约10 GHz
　　漏极电流（ID）：最大20 mA
　　跨导（Gm）：约150 mS
　　噪声系数（NF）：典型值0.5 dB @ 4 GHz
　　增益（S21）：典型值18 dB @ 4 GHz
　　输入输出阻抗匹配：50 Ω

特性

TLN105A以其卓越的噪声性能著称，特别适合低噪声前置放大器设计。在4 GHz频率下，其典型噪声系数仅为0.5 dB，这对于提高接收机的信号灵敏度至关重要。
　　该晶体管还具备良好的增益特性，S21参数在4 GHz下可达18 dB，确保了信号的有效放大。
　　此外，TLN105A具有高线性度，在复杂的调制信号环境下能够减少失真，适合用于高精度的射频系统。
　　由于其50 Ω的输入输出阻抗匹配，TLN105A可以方便地集成到各种射频电路中，减少了额外匹配电路的需求，简化了设计流程。
　　TLN105A采用表面贴装封装形式，便于自动化生产和紧凑型电路布局，适用于现代高频电子设备。