您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A1R8CBLBT31G

GA1206A1R8CBLBT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:07:22 查看 阅读:9

GA1206A1R8CBLBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换和控制的场景。该型号采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合在高频和大电流环境下工作。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,封装形式为 LFPAK56E(也称为 D2PAK 封装),具有良好的散热特性和电气性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:140A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:97nC
  开关时间:典型值 30ns(开启),50ns(关闭)
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A1R8CBLBT31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,适用于大功率应用环境。
  3. 快速的开关速度和较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  5. 优化的热设计,支持长时间稳定运行。
  6. 提供优异的 ESD 和雪崩保护功能,增强器件的耐用性。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和逆变器。
  3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  5. 高效 DC-DC 转换器以及负载点 (POL) 转换模块。
  6. LED 照明驱动电路及其他消费类电子产品。

替代型号

GA1206A1R8CBTBT31G, IRF3205, AO3400A

GA1206A1R8CBLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容1.8 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-