BSH108,215 时间：2025/9/15 3:02:17 阅读：5

BSH108,215是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于低电压、高频率开关应用。该器件采用小型SOT-23封装，适合空间受限的设计场景，如便携式设备、电池管理系统、负载开关和DC-DC转换器等。BSH108,215具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及快速开关特性，能够在10V栅极驱动电压下提供高达100mA的连续漏极电流。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100mA
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　阈值电压(Vgs(th))：1V至2.5V

特性

BSH108,215作为一款高性能MOSFET，具备一系列显著的电气和物理特性。首先，其SOT-23封装设计不仅小巧轻便，而且有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电子设备。其次，该器件在Vgs=10V时的导通电阻Rds(on)仅为0.45Ω，这意味着在导通状态下，漏源之间的压降非常小，从而降低了功率损耗并提高了整体效率。此外，BSH108,215的栅极驱动电压范围宽广，支持高达±20V的输入，这使其在多种驱动电路中具有良好的兼容性。
　　该器件还具有较低的阈值电压（Vgs(th)）范围（1V至2.5V），允许在较低的控制电压下实现导通，适合用于低功耗控制电路。此外，其最大漏源电压为30V，能够适应中等电压应用场景。BSH108,215的开关速度较快，适用于高频开关电路，如DC-DC转换器和负载开关，有助于提高系统响应速度和能效。
　　从热管理角度来看，BSH108,215的最大功耗为300mW，并能在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，表现出良好的热稳定性和可靠性。这种宽泛的工作温度范围使该器件适用于各种工业和消费类电子应用。

应用

BSH108,215广泛应用于多个领域，包括但不限于便携式电子设备、电池管理系统、电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及逻辑控制电路。在便携式设备中，它用于高效能电池开关和负载管理，以延长电池寿命；在电源管理模块中，它作为低侧开关用于控制电源的通断；在DC-DC转换器中，其快速开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率；在电机控制电路中，BSH108,215可用于驱动小型直流电机或作为控制信号的开关元件；在逻辑控制电路中，该器件可作为数字信号控制的开关，实现对不同电路模块的启用或关闭。