FN15X823K250PNG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的高压 MOSFET,采用 N 沟道增强型技术。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等场景中,能够提供高效的功率转换和低导通损耗。其封装形式为 DPAK(TO-252),适合表面贴装工艺。
这款 MOSFET 具备出色的电气性能和可靠性,能够满足工业级应用的需求。
最大漏源电压:820V
连续漏极电流:15A
栅极电荷:45nC
导通电阻(典型值):0.6Ω
功耗:250W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:DPAK (TO-252)
结温:175℃
FN15X823K250PNG 的主要特点是高耐压能力和低导通电阻的结合,使其非常适合需要高效率和高可靠性的电力电子系统。它采用了先进的半导体制造工艺,确保了在高频开关条件下的低损耗表现。
此外,该器件具备快速开关速度和低栅极电荷,从而减少了开关过程中的能量损失。同时,其表面贴装封装形式有助于提高生产自动化程度并节省电路板空间。
其优异的热性能和宽广的工作温度范围也使其能够在严苛环境下稳定运行,适用于各种工业和消费类电子产品。
FN15X823K250PNG 常用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. 逆变器模块
4. 工业自动化设备
5. 太阳能微逆变器
6. 高压 DC-DC 转换器
7. LED 驱动电源
由于其高耐压和大电流能力,这款 MOSFET 特别适合需要处理高电压输入的应用场景。
IRFP460
FQA15N80C
STP15N80E
IXTH15N80L
INF15N80